第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有廣闊的應(yīng)用前景，已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略競爭高地。為搶抓第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略機(jī)遇，培育發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)，支持企業(yè)加大第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)能投入，引導(dǎo)上下游企業(yè)加強合作，濟(jì)南市積極布局第三代半導(dǎo)體材料、器件等技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新，打造國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

為了全面推動濟(jì)南市科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，加快建設(shè)“強新優(yōu)富美高”新時代社會主義現(xiàn)代化強省會提供堅實的人才支撐，由中共濟(jì)南市委、濟(jì)南市人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“第六屆中國（濟(jì)南）新動能創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域特色賽道”自啟動以來，就受到產(chǎn)業(yè)內(nèi)創(chuàng)業(yè)人才和項目的高度關(guān)注，經(jīng)過組委會專家組的層層篩選，目前大賽決賽的19個入圍名單已經(jīng)出爐，并將于11月10日在濟(jì)南東悅國際酒店進(jìn)行最終的比拼，評選出本次活動的一、二、三等獎。

同時，為了積極為先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)業(yè)者搭建一個可以充分展示交流、投融資對接、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新政策推介的平臺，在本次大賽開幕式上，組委會還將邀請多名產(chǎn)業(yè)專家以及龍頭企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人做產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旨報告，為參加活動的創(chuàng)業(yè)項目和人才進(jìn)行產(chǎn)業(yè)市場的干貨分享。

大賽開幕式議程：

本次大賽以“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)·筑夢泉城”為主題，活動共計吸引近70個全國各地優(yōu)秀的先進(jìn)電子材料類的創(chuàng)業(yè)項目報名參賽。決賽將邀請投資機(jī)構(gòu)、龍頭企業(yè)、技術(shù)專業(yè)領(lǐng)域、知名高校等專業(yè)、重磅的嘉賓組成的評審團(tuán)，圍繞大賽的評審規(guī)則為入圍項目現(xiàn)場打分，決賽現(xiàn)場采用“10+5”（10分鐘路演陳述+5分鐘評委提問）模式進(jìn)行現(xiàn)場路演答辯，決賽將在11月10日下午和11月11日上午分兩場舉行。

決賽入圍項目介紹

1.腦控機(jī)械手在腦中風(fēng)中的應(yīng)用：專注于腦機(jī)接口領(lǐng)域,以腦電感知控制技術(shù)為核心技術(shù)的公司,基于這項技術(shù),我們落地的一些智能硬件和穿戴硬件,通過大量的推廣智能硬件,我們不斷的采集用戶的數(shù)據(jù)，后臺不斷的運營個人的生活空間。我們打造一個開放的腦電應(yīng)用平臺，運用這個腦電平臺來輔能其他的行業(yè)。腦控機(jī)械手：以腦控機(jī)械手解決腦中風(fēng)患者的生活各種任務(wù)，方法是用新穎的傳感和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，通過無創(chuàng)神經(jīng)成像和一種新的連續(xù)追蹤范式，克服了嘈雜的腦電圖信號，顯著改善基于腦電圖的神經(jīng)解碼，從而實現(xiàn)實時連續(xù)的機(jī)器人設(shè)備控制。

2.電子元器件的激光焊接精準(zhǔn)溫控系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化：隨著電子器件微型化發(fā)展，如何保障焊接的質(zhì)量是微電子產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。項目通過建立焊接工藝參數(shù)數(shù)據(jù)庫并設(shè)計焊接質(zhì)量控制算法，實現(xiàn)激光焊接設(shè)備的智能控制，與同行業(yè)產(chǎn)品相比處于遙遙領(lǐng)先的地位。項目已開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的智能溫控激光軟釬焊設(shè)備，打造光電子器件加工與組裝生產(chǎn)線，在國內(nèi)率先實現(xiàn)激光非接觸精密電子加工的恒溫控制，滿足物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和無人駕駛等微電子集成電路的迫切需求，計劃進(jìn)一步占領(lǐng)市場。

3.半導(dǎo)體拋光材料：碳化硅，氮化鎵等半導(dǎo)體材料晶圓的制備加工工序中，對晶圓材料的平坦化，高精度，表面粗糙度進(jìn)行拋光加工的拋光材料。

4.深紫外LED芯片及光導(dǎo)纖維光觸媒產(chǎn)業(yè)化：深紫外LED代替汞燈是未來的發(fā)展趨勢，在醫(yī)療、消毒、凈化等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。我司擁有兩大核心技術(shù)：深紫外LED 芯片技術(shù)和光導(dǎo)纖維光觸媒技術(shù)；深紫外LED芯片實驗室光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到8%，產(chǎn)業(yè)化達(dá)到了5%，居于國內(nèi)領(lǐng)先行列，與日韓芯片相當(dāng)。擁有公司核心專利的光導(dǎo)纖維光觸媒技術(shù)，在生長工藝有重大創(chuàng)新，與紫外LED結(jié)合，在消殺細(xì)菌、凈化有機(jī)物等方面展現(xiàn)高效率和高環(huán)保型，對未來提供人們生活品質(zhì)具有重要意義。公司目前已導(dǎo)入宇通、江鈴、奇瑞等車企頭部企業(yè)和牧原等畜牧業(yè)頭部企業(yè)，且在合成革產(chǎn)業(yè)中取得重大技術(shù)突破，解決了困擾合成革企業(yè)的痛點、難點問題，公司正在打造面向全球的消毒凈化的解決方案和制造基地。

5.新一代車規(guī)級功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化：本項目是由來自ADI、聯(lián)合電子、DENSO、臺積電、世界先進(jìn)、強茂等世界級的功率半導(dǎo)體專家聯(lián)合創(chuàng)辦，目標(biāo)是打造世界級的車規(guī)級功率半導(dǎo)體IDM供應(yīng)商。業(yè)務(wù)覆蓋Si/SiC/GaN基的模塊、芯片、新材料和晶圓設(shè)計和制造。目前已經(jīng)完成世界級的IGBT和SiC模塊和器件，SiC-SBD器件和RC-IGBT芯片設(shè)計。其中兩款高功率IGBT產(chǎn)品性能全面超越國際一流水平，已經(jīng)進(jìn)入小批量驗證階段，并由多款適配國內(nèi)外車型的SiC和IGBT產(chǎn)品定制化研發(fā)中。項目預(yù)期2026年實現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。

6.鋁固態(tài)電池技術(shù): 技術(shù)方案首先是電池工作時降低正負(fù)極片的電流值，解決電池的發(fā)熱問題，傳統(tǒng)新能源汽車電池內(nèi)部電池電芯直接串聯(lián)，電池內(nèi)部正負(fù)極芯很容易被高電壓金屬離子熱流所破壞、電池性能及壽命下降均來源于高溫?zé)犭x子流！其次改變電池的極性，通過電池電芯正負(fù)極穿插另外一個電芯的正極作為電解質(zhì)控制晶枝的成晶方向，改變傳統(tǒng)電池正負(fù)極之間直接放一層隔膜的技術(shù)方案，充電電壓、電流較低，很難實現(xiàn)電池快充。再次，固態(tài)電解質(zhì)與正負(fù)極之間界面采用導(dǎo)電活性劑組分解決阻抗過高難題，提升金屬離子固態(tài)電池固態(tài)電解質(zhì)導(dǎo)電率。最后，成本問題。像鈉、鋁、鋅等金屬相比鋰金屬，成本就非常低，做出來的電池就非常親民。

7.超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料及其功率器件：計劃進(jìn)入高溫、高功率電子領(lǐng)域，提供創(chuàng)新的解決方案。我們的產(chǎn)品和服務(wù)將基于氧化鎵材料的優(yōu)越特性，并應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電力電子和智能電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。我們致力于實現(xiàn)產(chǎn)品的商業(yè)化，并在市場中取得競爭優(yōu)勢。

8.氮化鎵單晶襯底及設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項目：實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體高性能器件產(chǎn)業(yè)化和規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵是要獲得價格合理的低缺陷密度GaN晶體基片。本項目南京大學(xué)技術(shù)團(tuán)隊所擁有的高技術(shù)和低成本優(yōu)勢在國內(nèi)外是獨一無二的，技術(shù)領(lǐng)先、工藝成熟，已經(jīng)具備大規(guī)模量產(chǎn)的條件。本項目旨在開發(fā)大尺寸GaN襯底的批量生產(chǎn)技術(shù)，在3年內(nèi)實現(xiàn)低成本高質(zhì)量GaN襯底的規(guī)?；a(chǎn)，達(dá)到年產(chǎn)20萬片以上TIE-GaN的規(guī)模。本項目長遠(yuǎn)目標(biāo)是建成世界最大規(guī)模的氮化鎵襯底生產(chǎn)基地，提供GaN襯底以及集成GaN基光電子和微電子器件的晶片等，用于滿足中國乃至全世界在全固態(tài)照明、短波長激光器等信息技術(shù)的發(fā)展和功率電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

9.基于MPCVD技術(shù)的金剛石晶體材料制備：本項目自主研制“微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MPCVD)”，用其制備高品質(zhì)人造金剛石晶體材料，包括大尺寸金剛石單晶和金剛石多晶薄膜。主要作為半導(dǎo)體材料、光學(xué)窗口材料、熱沉材料、鉆石毛坯等材料，應(yīng)用于半導(dǎo)體、量子計算、軍工航天、大科學(xué)裝置、精密加工、鉆石首飾等領(lǐng)域。該項目致力于突破國外在大功率MPCVD設(shè)備方面的技術(shù)封鎖，解決功能性金剛石領(lǐng)域的“卡脖子”問題。本項目將不斷升級完善大功率MPCVD設(shè)備，在功能性金剛石材料的制備和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行不斷地研發(fā)和探索，保持技術(shù)優(yōu)勢，把握市場，提前布局金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料，將本項目打造成為國際知名的功能性金剛石材料生產(chǎn)商。

10.芯片可靠性應(yīng)用驗證綜合評測項目：是一家集成電路檢測設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)、檢測解決方案咨詢、檢測服務(wù)和芯片評測為一體的綜合技術(shù)服務(wù)提供商，面向宇航、軍工、汽車級、工業(yè)級等行業(yè)客戶提供服務(wù)，具備異構(gòu)多參數(shù)集成電路檢測設(shè)備敏捷開發(fā)、軟硬一體化全流程驗證仿真模擬平臺、多上位機(jī)陣列輔助開發(fā)驗證等多項芯片檢測驗證領(lǐng)域核心開發(fā)技術(shù)。公司成立以來已服務(wù)航空、航天、船舶、汽車等高可靠性要求的領(lǐng)域客戶50余家，檢測集成電路型號2000余種，覆蓋95%以上元器件品類，構(gòu)建標(biāo)準(zhǔn)化、通用化，自動化、信息化，一站化應(yīng)用驗證能力，為我國芯片國產(chǎn)化替代進(jìn)程貢獻(xiàn)力量。

11.SERDES IP與CXL芯片項目：項目創(chuàng)始團(tuán)隊成員包括三星AMD實驗室頂尖芯片架構(gòu)專家、IEEE預(yù)備院士、前Intel首席科學(xué)家等，平均從業(yè)時間20年以上。團(tuán)隊目前已有自主IP20余項、在申報發(fā)明專利2項、預(yù)備申報發(fā)明專利10余項；團(tuán)隊具備先進(jìn)制程經(jīng)驗（3nm GAA~110nm），先進(jìn)SERDES IP設(shè)計經(jīng)驗、數(shù)十顆芯片從設(shè)計至流片經(jīng)驗。已攻克國內(nèi)首個驗證可用的RAID方案、國內(nèi)首個CXL IP合作案例、國內(nèi)首顆自主紅外ISP芯片案例、國內(nèi)首顆自主USB3.2HUB芯片案例等，是國內(nèi)唯三可進(jìn)行SERDES IP定制化的企業(yè)。截止目前，公司營業(yè)收入數(shù)百萬元，已達(dá)成合同超2000萬元，正在進(jìn)行天使輪融資及項目落地工作。

12.Micro-TEC半導(dǎo)體制冷片產(chǎn)業(yè)化項目：微型半導(dǎo)體制冷片Micro- TEC以其獨特的優(yōu)勢和特點被廣泛應(yīng)用于航天、軍工、紅外、工業(yè)、通信、電力、消費等諸多領(lǐng)域。 微型半導(dǎo)體制冷片Micro TEC可以實現(xiàn)0.01℃以內(nèi)的主動溫度控制，是目前光通訊器件/模塊中實現(xiàn)精確溫度控制的唯一核心關(guān)鍵核心部件。

微型半導(dǎo)體制冷片Micro -TEC的廠家，主要為國外廠家，如杭州大和、日本小松、美國Phononic公司、俄羅斯RMT公司等等，占據(jù)中國75%以上的市場份額，且限制對中國企業(yè)銷售核心的熱電材料，國內(nèi)沒有可以與之競爭的廠家。

13.基于PXGPU的超低功耗AOD-DDIC："我們提出了全球獨創(chuàng)的解決方案來延長手機(jī)低電量時的續(xù)航時間

·發(fā)明了全新計算架構(gòu)GPU(PXGPU)，顛覆已沿用30多年的傳統(tǒng)GPU架構(gòu)(基于幀緩存、流水線架構(gòu)); 在空間維度/時間維度上實現(xiàn)了不同圖層圖元/不同區(qū)域圖元渲染的并行執(zhí)行，實現(xiàn)了全球首創(chuàng)的無幀緩存、非流水線GPU架構(gòu)，大幅降低GPU渲染、顯示帶寬及功耗。

·基于PXGPU，實現(xiàn)了全球獨創(chuàng)的解決方案AOD-DDIC芯片及全新的低功耗AOD交互模式，延長手機(jī)低電量時的續(xù)航時間。

·延長電話信息時間2倍, 延長刷碼支付時間5倍,延長導(dǎo)航時間5倍。

適用于所有手機(jī)平臺,市場規(guī)模巨大。"

14.HS-MCM碳化硅超高溫技術(shù)平臺：公司由五位清華大學(xué)電子系98級同班同學(xué)創(chuàng)立，前期已經(jīng)過數(shù)輪上億元的融資，擁有自身的6英寸碳化硅芯片產(chǎn)線和電源厚膜工藝產(chǎn)線。公司致力于第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片、模塊與系統(tǒng)，團(tuán)隊成員在海外有16年以上的高溫電源經(jīng)驗。項目從特殊行業(yè)(石油、軍工、航天)、特殊產(chǎn)品(基于碳化硅芯片的超高溫、小型化特種電源)，特殊技術(shù)(HS-MCM異基底-混合集成芯片模組)切入，研發(fā)的230+℃超高溫特種開關(guān)電源已廣泛應(yīng)用在國內(nèi)石油井下勘探，超高溫特種電源領(lǐng)域填補了國產(chǎn)空白，并將技術(shù)原理復(fù)用到軍工、航天、電動汽車、光伏儲能等行業(yè)，為了實現(xiàn)這種極致碳化硅高溫系統(tǒng)，芯片也是公司特殊設(shè)計并在自己的芯片產(chǎn)線上流片。

15.全國產(chǎn)化射頻通信芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化：受國外芯片卡脖子限制，我國急需高端芯片填補空白，國外技術(shù)封鎖以及光刻機(jī)的斷供使得高性能電子通訊芯片突破十分困難，因此對于高性能光電融合通訊芯芯片來取代甚至超越純電子芯片就顯得十分重要。我們團(tuán)隊全自主設(shè)計生產(chǎn)的高性能光電融合通訊芯片，具有光電集成、高速通訊、多波段切換，并單個芯片集成，可實現(xiàn)高性能通訊。光電融合通訊芯片可產(chǎn)生相位噪聲極低的高頻微波信號，在軍民領(lǐng)域均具有重要的應(yīng)用，市場規(guī)模巨大，可成為第四次工業(yè)革命的把關(guān)者。

16.自主可控的通用、智能、精密、 集成化工業(yè)底層控制系統(tǒng)：公司在十幾年內(nèi)建立了硬件、軟件完全獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。核心技術(shù)全面覆蓋從檢測、工具應(yīng)用到生產(chǎn)的所有環(huán)節(jié)，可應(yīng)用在智能檢測、智能工業(yè)生產(chǎn)線、高精度機(jī)床、工業(yè)機(jī)器人、高精密儀器、精密測量運動平臺新能源汽車等工業(yè)領(lǐng)域。所有產(chǎn)品均已自我驗證，國內(nèi)外均未有同類體系。精密智能化集成底層工業(yè)控制系統(tǒng)是完全自主體系下獨立研發(fā)完成的新的工業(yè)控制體系，并兼容現(xiàn)有PLC及PC控制體系。其實質(zhì)為非PLC控制體系，也非基于PC的控制體系是獨立的新的工業(yè)底層控制體系（仍兼容PLC、PC體系）是基于新控制理論的國內(nèi)外最優(yōu)化控制。 可形成國際國內(nèi)新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、自主安全可控。

17.高可靠高性能自主可控電源管理芯片V9.0：專注宇航及軍工領(lǐng)域高可靠高性能自主可控電源管理芯片，致力于為航天、軍工、工業(yè)等領(lǐng)域客戶提供自主可控模擬芯片。核心團(tuán)隊由北京大學(xué)、中科院、電子科大等優(yōu)秀校友組成，深耕高可靠集成電路領(lǐng)域近二十年，在研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)業(yè)鏈有深厚經(jīng)驗，曾獲得國賽金獎、多項人才計劃A類等榮譽，多款產(chǎn)品在我軍裝備上得到大批量產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，目前20款可批量化供貨，10款在研，2022年通過7至9款宇航級產(chǎn)品滿足85%以上衛(wèi)星及飛行器電源管理需求，并成為航天五院、電科集團(tuán)、國網(wǎng)智芯等一級或合格供方。2022年團(tuán)隊同步依托現(xiàn)有技術(shù)、產(chǎn)品及企業(yè)優(yōu)勢，拓展工業(yè)控制、汽車電子等物聯(lián)網(wǎng)、新基建需求萬億級市場

18.全球領(lǐng)先危險探測技術(shù)—解決方案提供商：我們是一家以納米傳感器技術(shù)為核心的產(chǎn)品技術(shù)服務(wù)提供商，我們的團(tuán)隊研發(fā)納米傳感器領(lǐng)域20年，發(fā)明了一種小巧并靈敏度極高的傳感器裝置，并全球領(lǐng)先，目前我們已經(jīng)完成了一代二代產(chǎn)品的訂單交付，三代產(chǎn)品形態(tài)和功能和以往不同，我們把我們的傳感器技術(shù)與世界領(lǐng)先的機(jī)器人技術(shù)相結(jié)合，制造出了擁有危險探測能力的智能裝備，探測領(lǐng)域主要是爆炸物和毒品，受到海外多國政府和客戶的喜愛，目前簽署了將近2個多億的海外預(yù)訂單，2023年我們準(zhǔn)備進(jìn)入中國市場，希望能在中國完成我們現(xiàn)有訂單的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，以及開展國際化的產(chǎn)學(xué)研合作。

19.氮化物外延片/芯片供應(yīng)商：作為北京大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化、解決我國第三代半導(dǎo)體核心材料及器件技術(shù)問題的重點項目，致力于為國家和北京市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做貢獻(xiàn)的示范企業(yè)。一期投資1.35億元，開發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵基功率電子器件用大尺寸外延片（應(yīng)用于移動通訊基站、大數(shù)據(jù)中心電源、消費類電子等領(lǐng)域）和高性能AlGaN基UVC-LED外延片和芯片產(chǎn)品（應(yīng)用于消毒殺菌、水和空氣凈化、印刷、農(nóng)業(yè)及醫(yī)療等領(lǐng)域）。中博芯多個產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的水平，部分產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到國際領(lǐng)先水平；產(chǎn)品已銷售至海外。預(yù)期滿產(chǎn)后主營業(yè)務(wù)收入2億元/年，利潤5000萬元/年。

此外，本屆大賽過程中特別強化交流互鑒，大賽瞄準(zhǔn)了我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)——先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域，根據(jù)濟(jì)南當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)生態(tài)為參賽者搭建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺，并邀請各地的優(yōu)秀創(chuàng)業(yè)者參加，讓優(yōu)秀的項目和人才聚焦?jié)?，并充分宣傳?jì)南在科技創(chuàng)新領(lǐng)域的人才政策和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)環(huán)境，讓科技人才在交流中增進(jìn)對濟(jì)南產(chǎn)業(yè)生態(tài)的理解，促進(jìn)政、企、金、研、學(xué)等多方面的交流互鑒，相互啟迪，激發(fā)創(chuàng)新火花。